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投資50億元、年產12萬片 聚力成半導體項目預計10月量產
出自:21ic

重慶市大足區人民政府官網信息顯示,近日,聚力成半導體(重慶)有限公司(以下簡稱“聚力成半導體”)一期廠房正式啟用,計劃10月開始外延片的量產,生產線達21條,年產能達12萬片。

資料顯示,聚力成半導體是由重慶捷舜科技有限公司投資設立。2018年9月,重慶大足區人民政府與重慶捷舜科技有限公司正式簽約聚力成外延片和芯片產線項目(以下簡稱“聚力成半導體項目”),該項目以研發、生產第三代半導體氮化鎵外延片、芯片為主。

據介紹,聚力成半導體項目占地500畝,擬投資50億元,將在大足區打造集氮化鎵外延片制造、晶圓制造、芯片設計、封裝、測試、產品應用設計于一體的全產業鏈基地,項目建成達產后可實現年產值100億元以上。此外,聚力成半導體還將在大足建設中國區總部、科研及高管配套項目等。

簽約兩個月后,該項目于2018年11月正式開工奠基,今年4月26日舉行工廠上梁儀式。如今項目一期廠房正式啟用,啟用后將進行試生產,建設21條生產線、年產能12萬片,預計10月開始外延片的量產,主要應用于5G與消費市場、車用市場、數據中心和工業應用。

大足區政府信息顯示,目前聚力成半導體已擁有富士通電子元器件、中芯國際、聯穎光電、晶成半導體等多家合作伙伴。今年4月初,聚力成半導體官網發布消息稱,其與戰略伙伴聯穎光電,依照客戶定制要求,正式產出新一代半導體材料氮化鎵功率芯片。

據了解,第三代半導體性能優越,被業內譽為固態光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”以及光電子和微電子等產業的“新發動機”,是近年來全球半導體研究的前沿和熱點,我國亦對其高度重視,國家和各地政府陸續推出相關政策推動第三代半導體產業發展。

作為第三代半導體的代表之一,氮化鎵具有寬帶隙、高擊穿場強、高熱導率、低介電常數、高電子飽和漂移速度、強抗輻射能力和良好化學穩定性等優越物理化學性質,在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。

目前,國內已有多家企業布局氮化鎵產業,除了聚力成半導體外,還有江蘇能華、英諾賽科、三安集成、海威華芯、江蘇華功、大連芯冠等,其中江蘇能華和英諾賽科的8英寸Si基GaN生產線相繼開始啟用,如今聚力成半導體亦即將量產,將有望進一步推動國內氮化鎵產業發展。 

 

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